STP11NM80 与 SPP17N80C3 区别
| 型号 | STP11NM80 | SPP17N80C3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP11NM80 | A-SPP17N80C3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 290mΩ@11A,10V |
| 上升时间 | - | 15ns |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 208W(Tc) |
| Qg-栅极电荷 | - | 88nC |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 17A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSC3 |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 12ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2320pF @ 25V |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 177nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,850 | 500 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP11NM80 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2,850 | 当前型号 |
|
SPP11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
|
SPP17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 17A(Tc) ±20V 208W(Tc) 290mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 500 | 对比 |
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