首页 > 商品目录 > > > > STP11NM60代替型号比较

STP11NM60  与  IPP60R600E6  区别

型号 STP11NM60 IPP60R600E6
唯样编号 A3-STP11NM60 A-IPP60R600E6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 540mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSE6
长度 - 10mm
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP11NM60 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,000 当前型号
IPP60R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R600E6XKSA1_600V 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP60R520C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R520C6XKSA1_600V 8.1A 470mΩ 20V 66W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP65R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R600E6XKSA1_650V 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel ±30V 600 mΩ @ 3.5A,10V TO-220 104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPP80R600P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80R600P7XKSA1_600mΩ 800V 8A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售