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STP10NK60ZFP  与  SPA07N60C3XKSA1  区别

型号 STP10NK60ZFP SPA07N60C3XKSA1
唯样编号 A3-STP10NK60ZFP A-SPA07N60C3XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@4.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 4.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 900 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 750mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 10A

暂无价格 900 当前型号
SPA07N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPAN60R800CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN60R800CEXKSA1_800mΩ 600V 8.4A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPA80R650CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R650CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPA07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3XKSA1_600V 7.3A 600mΩ 10V 32W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPAN60R800CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN60R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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