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STP100N8F6  与  PSMN8R7-80PS,127  区别

型号 STP100N8F6 PSMN8R7-80PS,127
唯样编号 A3-STP100N8F6 A-PSMN8R7-80PS,127
制造商 STMicroelectronics Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ -
上升时间 46ns -
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 176W 170W
Qg-栅极电荷 100nC -
输出电容 - 296pF
栅极电压Vgs 2V 3V
典型关闭延迟时间 103ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 100A 90A
系列 STP100N8F6 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输入电容 - 3346pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.7mΩ@10V
下降时间 21ns -
典型接通延迟时间 33ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5955pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.6038
50+ :  ¥7.0523
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V

暂无价格 0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
66 对比
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78 N-Channel 170W 175℃ 3V 80V 90A

¥8.6038 

阶梯数 价格
20: ¥8.6038
50: ¥7.0523
0 对比

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