STP100N8F6 与 AOT288L 区别
| 型号 | STP100N8F6 | AOT288L | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP100N8F6 | A-AOT288L | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 14 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ | 9.2mΩ@10V | ||||||||
| 上升时间 | 46ns | - | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 12.5mΩ | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 100nC | - | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 4 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 2V | 20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 11.5 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 46A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 1871 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||||
| 下降时间 | 21ns | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5955pF @ 25V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 32 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 21.5 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | 93.5W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 162 | ||||||||
| VGS(th) | - | 3.4 | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 103ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | STP100N8F6 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 33ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 100nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 265 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 26.5 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 500 | 1,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 500 | 当前型号 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 219,300 | 对比 | ||||||||||
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AOT288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V |
¥7.1429
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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FDP3632 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 170W 175°C 3V 80V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 |