STP100N10F7 与 IRFB4310ZPBF 区别
| 型号 | STP100N10F7 | IRFB4310ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP100N10F7 | A-IRFB4310ZPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 80A TO-220 | Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 250W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 127A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 7,000 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 7,000 | 当前型号 |
|
IRFB4410ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 1,030 | 对比 |
|
IRFB4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
AOT2918L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 90A TO220 267W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB4310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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