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STN3NF06L  与  ZXMN6A09GTA  区别

型号 STN3NF06L ZXMN6A09GTA
唯样编号 A3-STN3NF06L A36-ZXMN6A09GTA
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 ZXMN6A09G Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 40mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 7.5A
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 1407pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 24.2nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 10V
库存与单价
库存 0 6,822
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.7808
100+ :  ¥2.2264
1,000+ :  ¥2.1296
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 当前型号
ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A

¥2.7808 

阶梯数 价格
20: ¥2.7808
100: ¥2.2264
1,000: ¥2.1296
6,822 对比
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V

¥1.903 

阶梯数 价格
30: ¥1.903
100: ¥1.529
1,000: ¥1.364
2,000: ¥1.276
4,000: ¥1.221
6,001 对比
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 3.8A(Ta)

¥2.398 

阶梯数 价格
30: ¥2.398
50: ¥1.848
1,000: ¥1.705
3,112 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
IRFL024ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223

暂无价格 2,500 对比

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