STL100N10F7 与 IRFH5010TRPBF 区别
| 型号 | STL100N10F7 | IRFH5010TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STL100N10F7 | A-IRFH5010TRPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT | Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC 3.6 W Silicon SMT Mosfet - PQFN 5 x 6 mm |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 9mΩ@50A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.6W(Ta),250W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | PQFN(5x6) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 13A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4340pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 6,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 6,000 | 当前型号 | |||||||||||||
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AON6220 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON6220 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V |
￥3.124
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557 | 对比 | ||||||||||||
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AON6284A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 80V 20V 48A 56W 6.5mΩ@10V |
￥3.8462
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138 | 对比 | ||||||||||||
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IRFH5010TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSC070N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 90A 7mΩ@50A,10V ±20V 114W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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