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STL100N10F7  与  IRFH5010TRPBF  区别

型号 STL100N10F7 IRFH5010TRPBF
唯样编号 A3-STL100N10F7 A-IRFH5010TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC 3.6 W Silicon SMT Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),250W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - PQFN(5x6)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 13A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4340pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥3.124
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阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
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±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A PQFN(5x6)

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