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STL100N10F7  与  BSC077N12NS3GATMA1  区别

型号 STL100N10F7 BSC077N12NS3GATMA1
唯样编号 A3-STL100N10F7 A-BSC077N12NS3GATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 139W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5700pF @ 60V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 - 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 88nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.7 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13.4A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 120V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
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