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STGWT40H65DFB  与  STGWT40HP65FB  区别

型号 STGWT40H65DFB STGWT40HP65FB
唯样编号 A3-STGWT40H65DFB A-STGWT40HP65FB
制造商 STMicroelectronics STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 160A
反向恢复时间(trr) - 140ns
Pd-功率耗散(Max) - 283W
输入类型 - 标准
IGBT 类型 - 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) - 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 80A
封装/外壳 TO-3P TO-3P
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2V @ 15V,40A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
开关能量 - 363µJ(关)
测试条件 - 400V,40A,5 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - -/142ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGWT40H65DFB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-3P

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STGWT40HP65FB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

-55°C~175°C(TJ) TO-3P

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STGWT40HP65FB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

-55°C~175°C(TJ) TO-3P

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STGWT40HP65FB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

-55°C~175°C(TJ) TO-3P

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