首页 > 商品目录 > > > > STGW40V60DF代替型号比较

STGW40V60DF  与  AUIRGP65G40D0  区别

型号 STGW40V60DF AUIRGP65G40D0
唯样编号 A3-STGW40V60DF A-AUIRGP65G40D0
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 功率MOSFET
描述 IGBT 600V 80A 283W TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 84A
反向恢复时间(trr) - 41ns
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 625W
输入类型 - 标准
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 62A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247AC
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.2V @ 15V,20A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
开关能量 - 298µJ(开),147µJ(关)
测试条件 - 400V,20A,4.7欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 35ns/142ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW40V60DF STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
STGW40V60F STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STGW40V60F STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STGW40V60F STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AUIRGP65G40D0 Infineon  数据手册 功率MOSFET

625W -55°C~175°C(TJ) TO-247AC 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售