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STGW39NC60VD  与  IGW40N60H3FKSA1  区别

型号 STGW39NC60VD IGW40N60H3FKSA1
唯样编号 A3-STGW39NC60VD A-IGW40N60H3FKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 80A 250W TO247 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) - 160A
栅极电荷 - 223nC
功率-最大值 - 306W
输入类型 - 标准
IGBT类型 - 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 - 19ns/197ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 80A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) - 2.4V @ 15V,40A
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 - 1.68mJ
测试条件 - 400V,40A,7.9 欧姆,15V
库存与单价
库存 24,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 24,000 当前型号
IRG4PC50FDPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 200W TO-247AC

暂无价格 0 对比
IGW40N60H3FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW40N60H3_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IGW40N60H3 Infineon IGBT晶体管

IGW40N60H3FKSA1_306W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
IKW75N60TFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IKW75N60T_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRGP4069DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 268W TO-247AC

暂无价格 0 对比

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