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STGB19NC60HDT4  与  IRG4BC40W-SPBF  区别

型号 STGB19NC60HDT4 IRG4BC40W-SPBF
唯样编号 A3-STGB19NC60HDT4 A-IRG4BC40W-SPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 40A 130W D2PAK IRG4BC40W Series 600 V 40 A Insulated Gate Bipolar Transistor - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 27ns/100ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 40A
功率 - 160W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 160A
输入类型 - 标准
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 160A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 40A
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.5V @ 15V,20A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 - 110µJ(开),230µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.5V @ 15V,20A
测试条件 - 480V,20A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 27ns/100ns
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB19NC60HDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 1,000 当前型号
IKB20N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKB20N60TATMA1_166W -40°C ~ 175°C

暂无价格 3 对比
IKB20N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKB20N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IGB20N60H3ATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB20N60H3_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRG4BC40W-SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 160W D2PAK

暂无价格 0 对比
IRG4BC30KD-SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 100W D2PAK

暂无价格 0 对比

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