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STGB10NC60KDT4  与  IGB10N60TATMA1  区别

型号 STGB10NC60KDT4 IGB10N60TATMA1
唯样编号 A3-STGB10NC60KDT4 A-IGB10N60TATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 20A 65W D2PAK IGBT 600V 20A 110W TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) - 30A
栅极电荷 - 62nC
功率-最大值 - 110W
输入类型 - 标准
IGBT类型 - NPT,沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 - 12ns/215ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 20A
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) - 2.05V @ 15V,10A
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 - 430uJ
测试条件 - 400V,10A,23 欧姆,15V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IGB10N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60TATMA1_110W -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
IGB10N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRGS10B60KDTRRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

156W -55°C ~ 150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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