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STGB10NC60KDT4  与  IGB10N60T  区别

型号 STGB10NC60KDT4 IGB10N60T
唯样编号 A3-STGB10NC60KDT4 A-IGB10N60T
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 20A 65W D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 -
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
功率 - 110W
工作温度 - -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - TRENCHSTOPIGBT
在25 C的连续集电极电流 - 24A
集电极—射极饱和电压 - 1.5V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IGB10N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60TATMA1_110W -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
IGB10N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRGS10B60KDTRRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

156W -55°C ~ 150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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