STF9NM60N 与 R6007JNXC7G 区别
| 型号 | STF9NM60N | R6007JNXC7G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-STF9NM60N | A33-R6007JNXC7G | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 46W(Tc) | ||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 475pF @ 100V | ||||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220FM | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 7V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 780 毫欧 @ 3.5A,15V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 15V | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 7A(Tc) | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 17.5nC @ 15V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 20,000 | 990 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STF9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 20,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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R6007JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
￥14.8336
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990 | 对比 | ||||||||||||
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AOTF10N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 969 | 对比 | ||||||||||||
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R6007JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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R6007ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||
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R6007ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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