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STF2LN60K3  与  R8002ANX  区别

型号 STF2LN60K3 R8002ANX
唯样编号 A3-STF2LN60K3 A33-R8002ANX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3Ω@1A,10V
上升时间 - 20ns
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 35W
Qg-栅极电荷 - 12.7nC
栅极电压Vgs - 30V
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220FP-3
连续漏极电流Id - 2A
系列 - R8002ANX
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 70ns
典型接通延迟时间 - 17ns
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥12.5913
50+ :  ¥8.0493
100+ :  ¥7.4839
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 当前型号
R8002ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel

¥12.5913 

阶梯数 价格
20: ¥12.5913
50: ¥8.0493
100: ¥7.4839
300: ¥7.1102
300 对比
R8002ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel

¥12.5913 

阶梯数 价格
20: ¥12.5913
50: ¥8.0493
100: ¥7.4839
240 对比
R8002ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel

暂无价格 100 对比
FQPF2N60C ON Semiconductor 通用MOSFET

2A(Tc) ±30V 23W(Tc) 4.7 Ohms@1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 2A 4.7 欧姆 @ 1A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3 整包

暂无价格 0 对比
AOTF2N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

2A(Tc) N-Channel ±30V 4.4 Ω @ 1A,10V TO-220-3F 31W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比

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