STF24N60M2 与 SPA20N60C3 区别
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规格信息
型号	STF24N60M2	SPA20N60C3
唯样编号	A3-STF24N60M2	A-SPA20N60C3
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表	STF24N60M2.pdf	SPA20N60C3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ@9A,10V	190mΩ
零件号别名	-	SP000216354 SPA20N60C3XK SPA20N60C3XKSA1
上升时间	-	5 ns
漏源极电压Vds	600V	±20V
Pd-功率耗散(Max)	30W(Tc)	34.5W
栅极电压Vgs	±25V	-
典型关闭延迟时间	-	67 ns
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220FP	PG-TO220-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	18A	20.7A
系列	MDmesh™ II Plus	-
配置	-	Single
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1060pF @ 100V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	29nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	-
下降时间	-	4.5 ns
库存与单价
库存	4,850	0
工厂交货期	5 - 7天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STF24N60M2	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A	暂无价格	4,850	当前型号
IPA60R190P6	Infineon	数据手册	功率MOSFET	600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C	暂无价格	500	对比
IPA65R190CFD	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 34W N-Channel	暂无价格	500	对比
IPA60R190C6	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 34W N-Channel	暂无价格	500	对比
FCPF20N60	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	20A(Tc) ±30V 39W(Tc) 190mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 20A TO-220F-3	暂无价格	0	对比
SPA20N60C3	Infineon	数据手册	功率MOSFET	20.7A 190mΩ ±20V 34.5W PG-TO220-3 N-Channel -55°C~150°C	暂无价格	0	对比