首页 > 商品目录 > > > > STF24N60M2代替型号比较

STF24N60M2  与  IPA60R190P6  区别

型号 STF24N60M2 IPA60R190P6
唯样编号 A3-STF24N60M2 A-IPA60R190P6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190Ω
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 34W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±25V 20V
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 20.2A
系列 MDmesh™ II Plus CoolMOSP6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
长度 - 10.65mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 30,000 500
工厂交货期 5 - 7天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 当前型号
IPA60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190P6XKSA1_600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
IPA60R160C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R160C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOTF190A60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 20V 20*A 32W 190mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPA60R199CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R199CP_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消