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STF24N60M2  与  AOTF190A60L  区别

型号 STF24N60M2 AOTF190A60L
唯样编号 A3-STF24N60M2 A-AOTF190A60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.25
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11
栅极电压Vgs ±25V 20V
Td(on)(ns) - 49
封装/外壳 TO-220FP TO-220F
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 18A 20*A
Ciss(pF) - 1935
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 341
Td(off)(ns) - 115
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 32W
Qrr(nC) - 6800
VGS(th) - 4.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
Coss(pF) - 55
Qg*(nC) - 34
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

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