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STF22NM60N  与  IPA60R190C6  区别

型号 STF22NM60N IPA60R190C6
唯样编号 A3-STF22NM60N A-IPA60R190C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STF22NM60N Series 600 V 0.22 Ohm 16 A MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ 170mΩ
上升时间 18ns 11ns
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 30W 34W
Qg-栅极电荷 44nC 63nC
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 74ns 110ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 16A 20.2A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 STF22NM60N CoolMOSC6
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 38ns 9ns
典型接通延迟时间 11ns 15ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 60,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

16A 30W 220mΩ 650V 3V TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 60,000 当前型号
FCPF20N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

20A(Tc) ±30V 39W(Tc) 190mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 20A TO-220F-3

暂无价格 0 对比
SPA15N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA15N60C3XKSA1_±20V 34W(Tc) 280mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 15A

暂无价格 0 对比
FCPF260N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 260 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 15A(Tc) TO-220FP

暂无价格 0 对比
IPA60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 34W N-Channel

暂无价格 0 对比
AOTF15S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 15A 27.8W 290mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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