首页 > 商品目录 > > > > STF15N60M2-EP代替型号比较

STF15N60M2-EP  与  IPA80R360P7  区别

型号 STF15N60M2-EP IPA80R360P7
唯样编号 A3-STF15N60M2-EP A-IPA80R360P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 30W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 930pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 30nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id - 13A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - CoolMOS™ P7
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 280µA
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF15N60M2-EP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 当前型号
IPA60R299CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R299CP_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPAN80R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN80R360P7XKSA1_360mΩ 800V 13A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
AOTF11C60P_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel ±30V 400 mΩ @ 5.5A,10V TO-220F 50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPA80R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R360P7XKSA1_N-Channel 800V 13A ±20V 30W(Tc) 360mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3

暂无价格 0 对比
AOTF11S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 650V 30V 11A 39W 399mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售