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STF13N60M2  与  IPA60R360P7XKSA1  区别

型号 STF13N60M2 IPA60R360P7XKSA1
唯样编号 A3-STF13N60M2 A-IPA60R360P7XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 22W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@5.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 555pF @ 400V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 140uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 580pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 360 毫欧 @ 2.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 2,000 当前型号
IPA50R500CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R500CEXKSA2_TO-220 FullPAK 5.4A N-Channel 500V -55°C 2.5V,3.5V 500mΩ

暂无价格 500 对比
AOTF20N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 20A 50W 370mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R385CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R385CPXKSA1_600V 9A 385mΩ 20V 31W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOTF11S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel ±30V 399 mΩ @ 3.8A,10V TO-220-3F 38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPA60R360P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R360P7_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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