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STF10NM60N  与  SPA07N60C3  区别

型号 STF10NM60N SPA07N60C3
唯样编号 A3-STF10NM60N A-SPA07N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 600mΩ
上升时间 - 3.5ns
Qg-栅极电荷 - 21nC
栅极电压Vgs ±25V 10V
正向跨导 - 最小值 - 6S
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 10A(Tc) 7.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 50V -
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) 32W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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