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STF10NM60N  与  IPAW60R600CE  区别

型号 STF10NM60N IPAW60R600CE
唯样编号 A3-STF10NM60N A-IPAW60R600CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 600mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) -
Rth - 4.5K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.5nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220-3 TO-220 FullPAK
Mounting - THT
连续漏极电流Id 10A(Tc) 10.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
Ptot max - 28.0W
QG - 20.5nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.3
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF10NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

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IPAW60R600CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPAW60R600CEXKSA1_TO-220FullPAK

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