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STF10N80K5  与  R6009KNX  区别

型号 STF10N80K5 R6009KNX
唯样编号 A3-STF10N80K5 A-R6009KNX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3
连续漏极电流Id - 9A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 535mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 48W(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 540pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±20V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥20.4805
100+ :  ¥11.8377
500+ :  ¥7.5051
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF10N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 当前型号
R6009KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 200 对比
R6009KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥20.4805 

阶梯数 价格
1: ¥20.4805
100: ¥11.8377
500: ¥7.5051
100 对比
R6009JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

暂无价格 100 对比
R6009JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥6.3723 

阶梯数 价格
30: ¥6.3723
35 对比
IPAN80R450P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN80R450P7XKSA1_450mΩ 800V 11A TO-220 FullPAK N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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