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STD9NM60N  与  AOD4S60  区别

型号 STD9NM60N AOD4S60
唯样编号 A3-STD9NM60N A-AOD4S60
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 0.75
Td(off)(ns) - 40
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 56.8W
Qrr(nC) - 1500
VGS(th) - 4.1
Qgd(nC) - 1.8
栅极电压Vgs - 30V
FET类型 - N-Channel
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 4A
Ciss(pF) - 263
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 177
Coss(pF) - 21
Qg*(nC) - 6*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥11.1444 

阶梯数 价格
20: ¥11.1444
50: ¥6.6119
100: ¥6.0465
300: ¥5.6632
500: ¥5.5866
1,000: ¥5.5291
1,490 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 133 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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