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STD9N60M2  与  IPD80R750P7  区别

型号 STD9N60M2 IPD80R750P7
唯样编号 A3-STD9N60M2 A-IPD80R750P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 750mΩ
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 800V
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
Special Features - price/performance
FET类型 - N-Channel
Qgd - 7.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 7A
RthJC max - 2.4 K/W
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 17.0 nC
Ptot max - 51.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.44
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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