STD8NF25 与 RCD080N25TL 区别
| 型号 | STD8NF25 | RCD080N25TL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-STD8NF25 | A33-RCD080N25TL-0 | ||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 8A DPAK | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 300m Ohms@4A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 250V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 850mW(Ta),20W(Tc) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1440pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 5,000 | 2,500 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STD8NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RCD080N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±30V 850mW(Ta),20W(Tc) 300m Ohms@4A,10V 150°C(TJ) CPT N-Channel 250V 8A |
￥7.9534
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RCD080N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±30V 850mW(Ta),20W(Tc) 300m Ohms@4A,10V 150°C(TJ) CPT N-Channel 250V 8A |
￥7.9534
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2,169 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRFR4292TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK N-Channel 250V 9.3A(Tc) 345mΩ@5.6A,10V ±20V 100W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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