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STD8N80K5  与  TK5P60W,RVQ  区别

型号 STD8N80K5 TK5P60W,RVQ
唯样编号 A3-STD8N80K5 A-TK5P60W,RVQ
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 800V 6A DPAK MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 900 毫欧 @ 2.7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 380 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 270uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.5 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.4A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD70R950CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R950CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD80R900P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R900P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK5P60W,RVQ Toshiba 功率MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 5.4A(Ta)

暂无价格 0 对比

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