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STD8N65M5  与  IPD60R600P7ATMA1  区别

型号 STD8N65M5 IPD60R600P7ATMA1
唯样编号 A3-STD8N65M5 A-IPD60R600P7ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7A DPAK MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 363pF @ 400V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 80uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 1.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R600P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK11P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 11.1A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK560P65Y,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 7A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel 600V

暂无价格 0 对比

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