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STD7NM60N  与  SPD04N60S5  区别

型号 STD7NM60N SPD04N60S5
唯样编号 A3-STD7NM60N A-SPD04N60S5
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.5A,10V 950mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 50W(Tc)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK PG-TO252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 4.5A(Tc)
系列 MDmesh™ II -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 363pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 580pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22.9nC
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 10,000 当前型号
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IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPD70R900P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

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SPD04N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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