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STD7NM60N  与  IPD70R900P7SAUMA1  区别

型号 STD7NM60N IPD70R900P7SAUMA1
唯样编号 A3-STD7NM60N A-IPD70R900P7SAUMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 211pF @ 400V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 60uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 10V
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 363pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 900 毫欧 @ 1.1A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 700V
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 10,000 当前型号
IPD70R900P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R900P7SAUMA1_900mΩ 700V 6A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 600V 4.4A 860mΩ 20V 37W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD70R900P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R900P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD04N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 50W(Tc) 950mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3

暂无价格 0 对比

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