STD7NM60N 与 IPD70R900P7S 区别
| 型号 | STD7NM60N | IPD70R900P7S |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD7NM60N | A-IPD70R900P7S |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@2.5A,10V | 900mΩ |
| 漏源极电压Vds | 600V | 700V |
| Moisture Level | - | 3 |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | - |
| Rth | - | 4.1K/W |
| 栅极电压Vgs | ±25V | 2.5V,3.5V |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Qgd | - | 2.6nC |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| 封装/外壳 | DPAK | DPAK (TO-252) |
| Mounting | - | SMT |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -40°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 5A | 6A |
| 系列 | MDmesh™ II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| Ptot max | - | 30.5W |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 363pF @ 50V | - |
| QG | - | 6.8nC |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.25 |
| RthJC max | - | 4.1K/W |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 105,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD7NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A |
暂无价格 | 105,000 | 当前型号 |
|
IPD70R900P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
900mΩ 700V 6A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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