首页 > 商品目录 > > > > STD6N65M2代替型号比较

STD6N65M2  与  FCD1300N80Z  区别

型号 STD6N65M2 FCD1300N80Z
唯样编号 A3-STD6N65M2 A3-FCD1300N80Z
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
数据表
RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.3Ω@2A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 52W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 400µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 400µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD6N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD7N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,131 对比
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 对比
IPD80R1K4P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD80R1K4P7ATMA1_TO-252

暂无价格 0 对比
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA

暂无价格 0 对比
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售