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STD6N65M2  与  IPD80R1K4P7  区别

型号 STD6N65M2 IPD80R1K4P7
唯样编号 A3-STD6N65M2 A-IPD80R1K4P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.4Ω@1.4A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 32W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 5,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD6N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 当前型号
AOD7N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 178W 1560mΩ@10V

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
554 对比
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4A(Tc) ±20V 52W(Tc) 1.3Ω@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 4A

暂无价格 0 对比
IPD80R1K4P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K4P7ATMA1_1.4Ω@1.4A,10V 800V 4A TO-252 N-Channel -55°C~150°C ±20V 32W

暂无价格 0 对比
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4A(Tc) ±20V 52W(Tc) 1.3Ω@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 4A

暂无价格 0 对比

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