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STD5NM60T4  与  SIHD7N60E-GE3  区别

型号 STD5NM60T4 SIHD7N60E-GE3
唯样编号 A3-STD5NM60T4 A-SIHD7N60E-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600 mOhms @ 3.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 78W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 40,000 35
工厂交货期 5 - 7天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 40,000 当前型号
SIHD7N60E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V

暂无价格 35 对比

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