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STD5NM60T4  与  IPD60R950C6  区别

型号 STD5NM60T4 IPD60R950C6
唯样编号 A3-STD5NM60T4 A-IPD60R950C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 860mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 37W
Qg-栅极电荷 - 13nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 PG-TO252-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.4A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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AOD4C60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

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IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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TK6P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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