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STD5NK60ZT4  与  IPD80R1K4P7ATMA1  区别

型号 STD5NK60ZT4 IPD80R1K4P7ATMA1
唯样编号 A3-STD5NK60ZT4 A-IPD80R1K4P7ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK MOSFET N-CH 800V 4A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 32W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 250pF @ 500V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 700uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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