STD44N4LF6 与 SUD50N04-8M8P-4GE3 区别
| 型号 | STD44N4LF6 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD44N4LF6 | A-SUD50N04-8M8P-4GE3 | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 44A DPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.8mΩ@20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.1W(Ta),48.1W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 14A | ||
| 系列 | - | SUD | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2400pF @ 20V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 56nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 10,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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STD44N4LF6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 | ||||
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AOD4186 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 40V 20V 35A 50W 15mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOD4186 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 40V 20V 35A 50W 15mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
￥3.0573
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0 | 对比 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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