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STD3NM60N  与  TK4P60DB(T6RSS-Q)  区别

型号 STD3NM60N TK4P60DB(T6RSS-Q)
唯样编号 A3-STD3NM60N A-TK4P60DB(T6RSS-Q)
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 80W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2 欧姆 @ 1.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 540 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4.4V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.7A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD3NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD65R1K4C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6ATMA1_650V 3.2A 1.26Ω 20V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) D-Pak 150°C(TJ) 600 V 3.7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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AOD3C60 AOS  数据手册 功率MOSFET

3A(Tc) N-Channel ±30V 1.4 Ω @ 1A,10V TO-252,(D-Pak) 89W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 600V

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IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

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