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STD3NM60N  与  AOD3C60  区别

型号 STD3NM60N AOD3C60
唯样编号 A3-STD3NM60N A-AOD3C60
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252,(D-Pak)
连续漏极电流Id - 3A(Tc)
工作温度 - -50°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.4 Ω @ 1A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 89W(Tc)
栅极电荷Qg - 15nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD3NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD65R1K4C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6ATMA1_650V 3.2A 1.26Ω 20V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) D-Pak 150°C(TJ) 600 V 3.7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD3C60 AOS  数据手册 功率MOSFET

3A(Tc) N-Channel ±30V 1.4 Ω @ 1A,10V TO-252,(D-Pak) 89W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

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