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STD35NF06LT4  与  IRF6892STRPBF  区别

型号 STD35NF06LT4 IRF6892STRPBF
唯样编号 A3-STD35NF06LT4 A-IRF6892STRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.02 Ohm 33 nC 80 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 IRF6892STRPbF Series 25 V 1.7 mOhm N-Channel DirectFET® MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.7mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds - 25V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),42W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DPAK DIRECTFET™ S3C
工作温度 - -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 28A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2510pF @ 13V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2510pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD35NF06LT4 STMicro  数据手册 MOSFET

DPAK

暂无价格 2,500 当前型号
AOD4130 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 30A 52W 24mΩ@10V

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.716
1,250: ¥1.496
2,500: ¥1.419
2,506 对比
AOD442 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V

暂无价格 16 对比
BUK9219-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9219-55A_SOT428 N-Channel 114W 175℃ 1.5V 55V 55A

¥8.9888 

阶梯数 价格
470: ¥8.9888
1,000: ¥7.0225
1,250: ¥5.7562
2,500: ¥5.0054
0 对比
BUK7222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 3V 55V 48A

¥12.1056 

阶梯数 价格
400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
0 对比
IRF6892STRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 2.1W(Ta),42W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 1.7mΩ@28A,10V N-Channel 25V 28A DIRECTFET™ S3C

暂无价格 0 对比

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