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STD30NF06LT4  与  RSD221N06TL  区别

型号 STD30NF06LT4 RSD221N06TL
唯样编号 A3-STD30NF06LT4 A33-RSD221N06TL-0
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 850mW(Ta),20W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 10V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
工作温度 - 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 22A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 7,301
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥5.1075
100+ :  ¥4.5517
500+ :  ¥4.5421
1,000+ :  ¥4.5325
2,000+ :  ¥4.5134
4,000+ :  ¥4.4846
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.783 

阶梯数 价格
20: ¥2.783
100: ¥2.145
1,000: ¥1.87
2,000: ¥1.76
22,424 对比
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D-Pak

¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
13,000 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_6.5mm TO-252-3

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 4,000 对比

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