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STD30NF06LT4  与  IRLR2905TRPBF  区别

型号 STD30NF06LT4 IRLR2905TRPBF
唯样编号 A3-STD30NF06LT4 A32-IRLR2905TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Single N-Channel 55 V 40 mOhm 30 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 42A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
库存与单价
库存 0 13,000
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.1411
100+ :  ¥2.02
500+ :  ¥1.9056
1,000+ :  ¥1.7978
2,000+ :  ¥1.696
8,000+ :  ¥1.6453
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
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30: ¥5.7782
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100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
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50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
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