STD30NF06LT4 与 IRFR3518PBF 区别
| 型号 | STD30NF06LT4 | IRFR3518PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD30NF06LT4 | A-IRFR3518PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 29mΩ |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 110W |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | - |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 38A |
| 系列 | - | HEXFET |
| 长度 | - | 6.73mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 典型接通延迟时间 | - | 12 ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 56nC @ 10V |
| 高度 | - | 2.39mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 37 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 42,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 42,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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5,118 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc) |
￥1.606
|
2,398 | 对比 | ||||||||||||||||
|
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
|
1,300 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOD4130 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 30A 52W 24mΩ@10V |
￥2.222
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495 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@25A,10V N-Channel 55V 42A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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