STD2N62K3 与 SPD02N80C3 区别
| 型号 | STD2N62K3 | SPD02N80C3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD2N62K3 | A-SPD02N80C3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2700mΩ |
| 上升时间 | - | 15ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 16nC |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.1V,3.9V |
| Special Features | - | price/performance |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK (TO-252) |
| 连续漏极电流Id | - | 2A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 配置 | - | Single |
| QG (typ @10V) | - | 9.0 nC |
| Ptot max | - | 42.0W |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 下降时间 | - | 18ns |
| 高度 | - | 2.3mm |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.48 |
| Moisture Level | - | 1 Ohms |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 42W |
| Mode | - | Enhancement |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| Mounting | - | SMT |
| RthJC max | - | 3.0 K/W |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | CoolMOSC3 |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD2N62K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 |
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SPD02N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
42W 2700mΩ 800V 2A DPAK (TO-252) N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
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FCD3400N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |