STD25NF20 与 IRFR4620PBF 区别
| 型号 | STD25NF20 | IRFR4620PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD25NF20 | A-IRFR4620PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 110 W 39 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | Single N-Channel 200 V 78 mOhm 38 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 78mΩ@15A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 144W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 24A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD25NF20 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 | ||||||||||
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STD20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥7.337
|
2,500 | 对比 | ||||||||||
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AOD2210 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 200V ±20V 18A 100W 105mΩ@18A,10V -55°C~175°C |
￥3.861
|
1,440 | 对比 | ||||||||||
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|
STD20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR4620PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 78mΩ@15A,10V N-Channel 200V 24A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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