STD13NM60N 与 SIHD14N60E-GE3 区别
| 型号 | STD13NM60N | SIHD14N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD13NM60N | A-SIHD14N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 360mΩ@5.5A,10V | 309 mOhms @ 7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 90W(Tc) | 147W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 11A | 13A(Tc) |
| 系列 | MDmesh™ II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 790pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 22,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD13NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 90W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 650V 11A |
暂无价格 | 22,500 | 当前型号 |
|
STL13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerFLAT-5x6-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STL13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerFLAT-5x6-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD380A60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 20V 11A 125W 380mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHD14N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) N-Channel 309 mOhms @ 7A,10V 147W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
