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STD13N60M2  与  IPD60R380C6  区别

型号 STD13N60M2 IPD60R380C6
唯样编号 A3-STD13N60M2 A32-IPD60R380C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qg-栅极电荷 - 32nC
典型关闭延迟时间 - 110ns
栅极电压Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10.6A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - XPD60R380
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 579
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥8.6527
25+ :  ¥8.0116
100+ :  ¥7.4182
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

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1: ¥8.6527
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